应用于高辐射抗性的p型基底硅传感器

摘要:硅基微图案探测器是现代高能物理实验的基本元素。成本效益和辐射抵抗性强是内部追踪装置所使用的技术的两个重要要求。基于p型衬底的工艺对这些应用具有很强的吸引力。本文综述了最近的结果和正在进行的原型工作。

作者:Marina Artuso

论文ID:physics/0701270

分类:Instrumentation and Detectors

分类简称:physics.ins-det

提交时间:2008-11-26

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