Si(001)单氢化表面上的自扩散再探：原子聚集的作用
摘要：H/Si(001)-2x1表面的第一原理总能量计算揭示了Si金刚石原子的双重扩散过程：沿着二聚体行的单个扩散，而在行内成对扩散。计算得到的沿着二聚体行的扩散能垒为1.1电子伏特，然而与实验观察到的氢诱导的生长干扰现象相比，这个值太小了。相反，我们发现在氢的存在下，原子扩散导致难以破碎的不动的四重环状Si四聚体的形成。这可以解释氢对于Si同质外延生长的不利影响。
作者：Gefei Qian, Xuan Luo, S. B. Zhang, Yia-Chung Chang, Dehuan Huang, Shang-Fen Ren
论文ID：physics/0612047
分类：Computational Physics
分类简称：physics.comp-ph
提交时间：2007-05-23