高亮度辐射场中硅探测器缺陷空间分布建模和电学退化估计
摘要：半导体中的缺陷特性可以通过辐照来确定，并且辐照也是评估半导体降解的一种方法，其对技术产生重要影响。本文基于硅探测器在辐照环境中特性降解的可用数据，利用一个模型来解释这些效应，并假设辐照还会产生SiFFCD缺陷。模型中的晶体结构不同的位移阈值能量被确定为参数，所得结果有助于澄清这些有争议的方面。预测了在LHC加速器的强子背景下，以 -10° C 的条件下，DOFZ硅探测器的电参数（泄漏电流、有效载流子浓度和有效阻域概率）的降解情况。通过模拟一些特定和非常简化的假设，得到了入射粒子动能较低时，形成初级缺陷和复合物的速率的深度非均匀性，这表明背景谱的低能部分可能对探测器的降解产生重要贡献。
作者：Sorina Lazanu and Ionel Lazanu
论文ID：physics/0611194
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2008-11-26