串联气体电子倍增器中离子回流减少的进展，包含R-MHSP元件
摘要：在基于GEM的级联气体电子增殖器中，提出了一种新的理念来减少离子的背向流，即通过在反向偏置模式下（R-MHSP）结合微孔和带状板（MHSP）元件。通过改变背向漂移离子的原始路径，背向流离子的减少达到了一个数量级。在总增益约为1.5*10^5的R-MHSP/2GEM/MHSP级联增殖器中，当漂移场分别为0.5和0.1 kV/cm时，背向流离子的比例分别为0.0015和0.0004。在总增益约为10^5的2R-MHSP/MHSP级联增殖器中，背向流离子的比例为0.003。我们讨论了在这些级联增殖器中困住背向流离子的概念，以及与气体光电倍增管和TPC应用的相关性；并概述了进一步发展的方向。
作者：A. V. Lyashenko, A. Breskin, R. Chechik, J. F. C. A. Veloso, J. M. F. Dos Santos, F. D. Amaro
论文ID：physics/0607015
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23