InGaAs/InP单光子雪崩二极管探测器的设计、制备和表征
摘要：基于平面结构的InGaAs/InP雪崩二极管在波长为1550nm附近的盖革模式操作下的性能表现：暗计数速率、单光子探测效率、余振和光子时间抖动。
作者：Ryan E. Warburton, Sara Pellegrini, Lionel Tan, Jo Shien Ng, Andrey Krysa, Kris Groom, John P.R. David, Sergio Cova, and Gerald S. Buller
论文ID：physics/0605073
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23