受辐照像素传感器的电荷收集与辐照能流密度的关系
摘要：CMS像素探测器的桶区域将配备“n-in-n”类型的硅传感器。它们采用DOFZ材料进行加工，使用温和的p-spray技术，并具有偏置网格。后者导致小部分像素区域对粒子不太敏感。为了量化这种效能低下，已将原型像素传感器辐照到$4.7 imes 10^{13}$和$2.6 imes 10^{15} Neq$的粒子剂量，并与未辐照的读出芯片进行键合，并在CERN SPS的H2束线上使用高能π介子进行测试。读出芯片允许非零抑制的模拟读出，因此非常适合测量传感器的电荷收集性能。本文讨论了收集信号和粒子探测效率的剂量依赖性，并研究了效率的位置依赖性。
作者：T. Rohe, D. Bortoletto, V. Chiochia, L.M. Cremaldi, S. Cucciarelli, A. Dorokhov, C. Hoermann, D. Kim, M. Konecki, D. Kotlinski, K. Prokofiev, C. Regenfus, D.A. Sanders, S. Son, T. Speer, M. Swartz
论文ID：physics/0411214
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2008-11-26