研究BaBar硅顶点跟踪器辐射损伤下的AToM前端芯片的辐射耐受性
摘要：AToM芯片的辐射硬度已经通过使用60Co源的光子和0.9GeV电子的照射进行了研究。已经测量了放大器的噪声增加和增益降低与施加的电容负载和吸收剂量的函数关系。不同的束流强度被用来研究不同剂量速率对AToM辐射损伤的影响。芯片数字功能已经测试到60Co光子5.5Mrads和0.9GeV电子9Mrads的剂量。此外，在电子测试中观察到了照射通道的基线偏移，但在光子照射中不存在。这种效应定性地再现了安装的BaBar硅顶点跟踪器的前端电子从2002年以来观察到的行为。经过对芯片布局的一些研究，这种特殊的行为可以与AToM的一个确定组件中的辐射损伤相关联。介绍辐射测试的结果并使用它们来推断未来几年内安装探测器的性能和寿命。
作者：G.Calderini, S.Bettarini, M.Bondioli, L.Bosisio, S.Dittongo, F.Forti, M.A.Giorgi
论文ID：physics/0411205
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23