双高斯光束的束内散射增长速率
摘要：bi-高斯分布的内束流散射增长速率的结果被发现。对于研究在RHIC中使用电子冷却的可能性来说，bi-高斯分布是有趣的。实验和计算机研究表明，在电子冷却的作用下，束流分布会发生变化，形成一个强核心和一个长尾，高斯分布并不能很好地描述，但可能通过bi-高斯分布更好地描述。能够计算bi-高斯分布的内束流散射效应对于计算电子冷却的效应是有用的，这个效应在很大程度上取决于内束流散射的细节。本计算使用内束流散射理论的重构方式[1]，该理论基于A. Piwinski [2]和J. Bjorken和S.K. Mtingwa [3]所提供的处理方法。下面定义的bi-高斯分布是在粒子坐标$x,y,s,p\_x,p\_y,p\_s$中两个高斯分布之和。尺寸较小的高斯分布主要产生束流的核心部分，尺寸较大的高斯分布主要产生束流的长尾。最终的增长速率结果可以表示为三个项的和，分别可以解释为第一个高斯分布自身的散射对增长速率的贡献，第二个高斯分布粒子自身的散射对增长速率的贡献，以及第一个高斯分布粒子对第二个高斯分布粒子的散射对增长速率的贡献。
作者：George Parzen
论文ID：physics/0410028
分类：Accelerator Physics
分类简称：physics.acc-ph
提交时间：2007-05-23