镁硅酸盐（Mg2SiO4）纳米带的光致发光性质
摘要：镁硅酸镁单晶纳米带通过SiO2辅助氧化物经VS方法高产合成。观察到镁硅酸镁纳米带的PL特性。625nm处的发射峰归因于微量Mn2+离子的4T1 - 6A1跃迁。400nm处的其他发射峰可能是由缺陷引起的。
作者：R. Zhu, X. S. Peng, S. H Sun, Y. Lin, L. D. Zhang
论文ID：physics/0310114
分类：Chemical Physics
分类简称：physics.chem-ph
提交时间：2007-05-23