基于Pt的PMOS器件金属化用于在硅上制造单片半导体/YBa2Cu3O7-d超导器件
摘要：Si和SiO2基底上通过RF溅射沉积了Mo、Pt、Pt/Mo和Pt/Ti薄膜，并在YBa2Cu3O7-d生长条件下进行退火处理。测量了未经加工的层的薄膜电阻率在退火后的变化。提出了用于PMOS器件的基于Pt的多层金属化方法，并在同一硅基底上对PMOS器件和YBCO传感器进行了单片集成测试。在700°C温度、0.5 mbar的O2压力下的60分钟退火后，Pt/Ti/Mo/Si矽化结构表现出(0.472 Omega_Box)电阻率和2 x 10^-4 Omega cm^2的特定接触电阻率，取得了最佳结果。
作者：Guillaume Huot, Laurence Mechin, Daniel Bloyet
论文ID：physics/0305096
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23