硅探测器由强子和电磁辐射引起的辐射损伤
摘要：硅探测器在高强度强子和电磁辐射下的辐射损伤的各个方面在报告中进行了讨论。重点是关于预期的LHC应用的改进，其中利用氧化硅片在探测器加工过程中（来自CERN-RD48的结果）。第一篇文章中给出了有关强子诱导损伤的最新调查。尤其针对LHC维护期间探测器存储时出现的抗退火问题概述了几项改进。在最后一节中概述了开放性问题，其中包括全面了解质子和中子诱导损伤之间的差异，以及与氧含量以及工艺相关的影响导致的辐射容忍度变化，以及对于基于损伤诱导的点缺陷和集群缺陷的改变探测器性质缺乏理解。除了完全用于探测器制造的区带硅外，还研究了池内硅，首次显示了一些有希望的结果。其他三篇论文涉及伽马诱导的损伤，包括由于处理步骤引入的缺陷或作为原生硅本身的固有缺陷。然而，重点是在广泛的剂量范围内的伽马照射后的测量。探测器性质的改变和缺陷的表征都已经得到了研究。首次显示出，与标准工艺相比，氧化硅探测器可以承受最多1 Gray的照射剂量而只有轻微的恶化。同时首次显示出，在这种情况下探测器的性质可以直接通过损伤诱导的点缺陷解释。这种1:1的对应关系对于所有未来的缺陷工程工作都是非常有希望的。
作者：E. Fretwurst (University of Hamburg), G. Lindstrom (University of Hamburg), I. Pintilie (NIMP Bucharest and University of Hamburg), J. Stahl (University of Hamburg)
论文ID：physics/0211118
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2007-05-23