39K和40K捕获丧失速率的比较研究：低光强下的替代损失通道
摘要：高度磁光陷阱的两种钾同位素39K和40K的陷阱损失速率进行了比较研究，作为陷阱光强度的函数。在高强度下，两种同位素的损失速率表现出相似的行为，并且在低强度下都出现了损失速率的突然增加。对于39K，这种增加可以通过假设主要损失来自于超精细结构改变碰撞来解释，而对于具有倒转基态超精细结构的40K，必须考虑不同的损失机制。两种同位素的实验结果都可以由基于辐射逃逸的替代模型很好地再现。
作者：G. Modugno, G. Roati, M. Inguscio, M.S. Santos, G.D. Telles, L.G. Marcassa and V.S. Bagnato
论文ID：physics/0105015
分类：Atomic Physics
分类简称：physics.atom-ph
提交时间：2007-05-23