半导体微腔中的空间孤子
摘要：在高弗雷涅尔数的被动量子阱半导体共振腔中，我们实验证明了明亮和暗空间孤子的存在。对于观测波长，非线性性质为吸收/自焦混合。明亮孤子比暗孤子更稳定。
作者：V. B. Taranenko (1), I. Ganne (2), R. J. Kuszelewicz (2), C. O. Weiss (1) ((1) PTB, Germany, (2) CNET, France)
论文ID：nlin/0001056
分类：Pattern Formation and Solitons
分类简称：nlin.PS
提交时间：2007-05-23