格点QCD中的味单态现象
摘要：夸克算符的味单对称组合在QCD的低能区域对许多重要的物理可观测量有贡献。实验证实，其中一些可观测量的值与朴素（摄动性）理论预期存在明显对比。这表明非摄动真空性质可能在理解这些现象中起到重要作用。这种真空贡献的一个例子是轴性反常，它出现在味单轴子电流的发散中，并与QCD的拓扑性质相关。从场论的角度来看，味单矩阵元与非单矩阵元的区别在于所谓的脱离插入。这些插入是夸克-反夸克环或夸克-反夸克环之间的相关性，由真空涨落介导。根据其各自的味道组成，脱离插入在非单过程中大部分被取消，但在味单振幅中增加。晶格方法为研究味单现象提供了理想工具。作为第一原理方法，它应该能够揭示非摄动真空贡献，并在长期内给出QCD中这些贡献的可靠结果。本文回顾了晶格QCD中关于味单矩阵元计算的方法、结果和可靠性的现状。特别强调讨论了在计算π-核子σ项（$sigma\_{pi N}$）、质子的味单轴耦合($G\_A^1$)和η'质量方面的最新计算结果。
作者：S. G"usken
论文ID：hep-lat/9906034
分类：High Energy Physics - Lattice
分类简称：hep-lat
提交时间：2007-05-23