欠掺杂铜氧化物中伪能隙的情景
摘要：关于铜氧化物伪能隙的理论目前可以分为两大主要派别。一种基于伪能隙是某种超导的前体的观点。另一种是将伪能隙现象与某种磁配对相结合。超导涨落场景和伪能隙场景均假设某种类型的涨落存在于通常超导转变温度之上，并对单粒子自能产生影响，该自能导致了光谱权重的间隙结构。在本文中，我们认为虽然某种类型的涨落对伪能隙的起源有影响，但它并非伪能隙在欠掺杂铜氧化物中起源的关键因素。我们基于可以产生自旋密度波（SDW）的模型分析了欠掺杂铜氧化物中的伪能隙场景，并发现了高温铜氧化物超导体的新的色散特性（除了位于（$π，0）和（0，π））的两个不同鞍点）。我们认为伪能隙的形成可能是由欠掺杂铜氧化物的独特内部所致。
作者：Ping Lou and Hang-sheng Wu
论文ID：cond-mat/9912481
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2007-05-23