Si-SiO$_2$多重量子阱中直流电场的振荡筛选研究：二次谐波产生的探测
摘要：三维半导体中被屏蔽的直流电场通常在空间中单调衰减。通过电场诱导的光学二次谐波产生实验研究了Si-SiO2多重量子阱中的直流电场屏蔽，结果呈现非单调的、类似于振荡的衰减。量子阱内局域化电子模型，第一子能带占据，可以描述该现象。相邻量子阱库伦相互作用、有限的电子电荷以及强烈的有效质量各向异性，导致与三维费米液体存在重大区别。
作者：V. V. Savkin, A. A. Fedyanin, A. N. Rubtsov, F. A. Pudonin, and O. A. Aktsipetrov
论文ID：cond-mat/9908238
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2007-05-23