负磁电阻分析的新方法。封闭路径的统计学
摘要：通过对2D半导体结构中负磁电阻（MR）的傅里叶变换，发现可以提取一种新的信息。所提出的方法提供了封闭路径面积分布函数和封闭路径均值长度$ar{L}(S)$的面积依赖性信息。基于这个思路，建议了负磁电阻分析的方法。该方法用于处理2D结构中的负磁电阻数据。在以前的版本（cond-mat/9902038）中，我们假设结构之间$ar{L}(S)$面积依赖性的差异来自散射各向异性的差异。更详细的分析表明，这种差异的主要原因是动量和相位弛豫时间之间的不同关系。
作者：G. M. Minkov, S. A. Negashev, O. E. Rut, A. V. Germanenko, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin and V. M. Danil'tsev
论文ID：cond-mat/9904336
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2007-05-23