从磁场驱动的二维过渡到零场过渡
摘要：二维电子是零温度和零磁场下绝缘的事实被广泛接受了十多年。实验证明，当放置在强垂直磁场中时，绝缘相转变为量子霍尔态。虽然这个转变符合现有的理论模型（KLZ），但最近在高质量二维系统中观察到的零磁场下的密度驱动金属-绝缘体转变是意想不到的，并且尽管投入了大量的努力，其起源仍然未知。为了改进我们对零磁场转变的理解，我们对GaAs中低密度、二维空穴系统中的绝缘体到量子霍尔转变进行了研究，该系统显示出零磁场的金属-绝缘转变。我们发现，在低场绝缘相中，当向金属-绝缘体转变的载流子密度增加时，绝缘体到量子霍尔转变的临界磁场减小并趋于零磁场的金属-绝缘体转变。这意味着有限磁场和零磁场转变有共同的起源。
作者：Y. Hanein, D. Shahar and Hadas Shtrikman (Dept. of Condensed Matter Physics, Weizmann Institute, Rehovot, Israel) J. Yoon, C.C. Li and D.C. Tsui (Dept. of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, New Jersey)
论文ID：cond-mat/9901186
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2007-05-23