从浅杂质光电谱线形对电场的依赖性诊断$n-GaAs$质量
摘要：低温光电谱线宽实验证明，浅杂质的光谱线宽不仅取决于已知的带电杂质浓度$N_i=2KN_A$和样本补偿度百分比$K=N_A/N_D$，而且很大程度上还取决于杂质分布的不均匀性。对于具有均匀和不均匀杂质分布的样品，其线宽随外部电场的变化（小于击穿电场）的机制不同。这种展宽机制可以用来控制具有接近相等杂质浓度的样品的质量。
作者：O.Z.Alekperov
论文ID：cond-mat/9807325
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2007-05-23