关于记忆器件中介观多晶硅薄膜的边界性质和电子导电性的研究
摘要：薄多晶薄膜的晶界结构性质的分子动力学模拟结果的研究
作者：G.P. Berman, G.D. Doolen, R. Mainieri, J. Rehacek, D.K. Campbell, V.A. Luchnikov and K.E. Nagaev
论文ID：cond-mat/9802022
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23