铁磁锰氧化物薄膜中的输运和磁性质
摘要：铁磁锰氧化物薄膜中的输运和磁性质是基于Mn离子中移动的d电子与核心自旋之间的偶合模型进行研究的。对于不同磁场和温度，得到了自发磁化和电阻率。在无磁场的电阻率和磁电阻在居里温度附近出现极大值，施加磁场将电阻率峰值位置移至高温并抑制峰值值，与实验结果一致。预测霍尔电阻率在居里点附近出现极大值。该机制也可以定性解释磁电阻的压力效应。铁磁锰氧化物薄膜中的巨磁电阻归因于自旋相关波动散射和低维效应。
作者：Liang-Jian Zou, X. G. Gong, Qing-Qi Zheng and C.Y. Pan (Institute of Solid State Physics, Academia Sinica, Hefei, China)
论文ID：cond-mat/9606029
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2019-08-15