AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中受面内磁场作用的电子系统的单层/双层转变
摘要：双异质结AlGaAs / GaAsAlGaAs结构中的电子的平衡性质通过自洽数值方法进行了理论研究。对于具有不同界面间距的双连接结构，讨论了从单层到双层电子系统的转变。在强平面磁场下，我们观察到了相同类型的转变，并对能谱产生了大的影响。双层系统中的一个新现象-能量色散曲线分为对应于第一层或第二层电子的部分进行了详细分析。在标准的双阱结构中，通过比较磁场诱导的有效电子层之间的距离变化与常数层分离情况。由于界面之间的相对小且软的静电势垒，我们预计2D态密度中的van Hove奇异性比在双阱系统中更容易检测到。通过计算函数作为平面磁场的函数的色散质量，比例与态密度成正比且表征倾斜磁场中的电子运动。通过经典的电子在交叉电场和磁场中运动的图像展示了能谱的可分性，导致倾斜的回旋运动轨道。
作者：L. Smrcka, T. Jungwirth
论文ID：cond-mat/9503001
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31