分数边态的结构：复合费米子方法
摘要：量子霍尔态下两维电子气边缘结构的研究：使用复合费米子方法。利用哈特里近似，数值上获得了电子密度分布和复合费米子能谱，结果表明在填充因子为1,1/3,2/3,1/5的情况下。对于u=1态的非常尖锐的边缘，可以使用单电子模型。随着边缘宽度a的增加，密度分布显示出与分数态相关的特征，并且新的分数通道成对出现。对于非常平滑的边缘情况，我发现拟经典地通道的数量为sqrt(a/l_H)，其中l_H为磁长度。
作者：Dmitri B. Chklovskii
论文ID：cond-mat/9502014
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31