有高直流导电性的有意无序超晶格
摘要：无序量子阱基半导体超晶格被认为是有意和短程相关的无序。这种系统由沿生长方向随机分布的两种不同厚度的量子阱组成，并且有一个额外的约束条件，即一种类型的阱总是成对出现。考虑到界面粗糙度所引起的缺陷，允许量子阱厚度围绕其“理想”值波动。我们以宽带隙(GaAs-Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As)和窄带隙(InAs-GaSb)超晶格为例。我们展示了在完美相关的无序超晶格中存在一条延展态带，导致其有限温度的直流导电率比通常的随机超晶格大幅增强，只要费米能级与该能带匹配。即使考虑了界面粗糙度，这个特征仍然存在。我们的预测可以用来实验证明结构相关性抑制了无序的局域化效应，即使存在缺陷。这种效应可能是新型滤波器或其他特定用途电子设备的基础。
作者：E. Diez, A. Sanchez, F. Dominguez-Adame
论文ID：cond-mat/9501096
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31