t-J梯子的自旋和电荷模式
摘要：t-J梯型结构的自旋和电荷激发在多个电子密度下通过精确对角化技术进行了研究。根据它们的自旋（单重态或三重态激发）和对称轴反射下的奇偶性进行分类，并对相关的能隙进行了有限尺度缩放。低掺杂情况下，空穴对的形成导致了所有J/t比率的自旋间隙。当Kx趋近于0时，这个相在电荷键合通道中至少有一个能量为零的模式，与超导配对相关的存在一致。在较大的掺杂下，自旋间隙消失。虽然反键合模式仍然存在能隙，但发现了低能量的Kx约等于0和Kx约等于2kF的自旋和电荷键合模式，与单带Luttinger情景一致。在足够低的电子密度下，并且在J/t的临界值以上，我们还预期存在另一种具有有能隙自旋激发的电子对相。
作者：D. Poilblanc, D.J. Scalapino and W. Hanke
论文ID：cond-mat/9501093
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31