摘要：通过对门控GaAs/AlGaAs异质结构的电容进行详细分析。讨论了电容对门电压和平面磁场的非线性依赖性，以及与较高的二维气体子能级的填充相关的电容量子步骤。将完全自洽的数值计算结果与最近的实验数据进行了比较。
作者：T. Jungwirth, L. Smrcka
论文ID：cond-mat/9501041
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31
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