由Zeeman分裂引起的跳跃磁电阻理论
摘要：受到中度的局域库伦排斥作用影响，由0，1，2个电子占据的位点共存引起的莫特导电性与Zeeman分裂$mu_ BH$呈指数关系。我们展示了导电性的行为如下：$$lnsigma = (T/T_0)^{1/4}F(x)$$其中$F$是关于$x=mu\_BH/T(T\_0/T)^{1/4}$的通用缩放函数。我们使用摄动法在弱场下解析地找到了$F(x)$。在某个阈值$x\_{m th}$以上，函数$F(x)$达到一个常数值，这也是通过解析找到的。缩放函数的完整形状通过对应的“双色”无量纲渗透问题进行数值模拟来确定。此外，我们开发了一种近似方法，可以在任意磁场下解析地解决这个渗透问题。该方法在两个极限形式之间对函数$F(x)$进行了满意的外推。
作者：Penny Clarke, L. I. Glazman, and K. A. Matveev
论文ID：cond-mat/9501024
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31