半导体量子阱结构中的激子凝聚
摘要：半导体量子阱结构可以以一种良好控制的方式形成激子凝聚。我们采用Keldysh和Kopaev的平均场理论，通过数值求解来说明我们的提议。得到了激子凝聚的电子-空穴配对能隙和激发谱。在较高密度下，激子凝聚的能量尺度是显著的。我们讨论了如何通过产生有效压力来实验性地达到这样的密度。
作者：Xuejun Zhu, P. B. Littlewood, M. S. Hybertsen, and T. M. Rice
论文ID：cond-mat/9501011
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31