用深度非弹性中子散射测量氢键体系中质子的三维Born-Oppenheimer势能：超质子导体Rb3H(SO4)2
摘要：Rb3H(SO4)2超质子导体中的质子位势表面通过使用深入弹子中子散射(DINS)测量得到的动量分布进行提取。该位势在键向上存在一个单一最小值，解释了在氘替代材料中没有观察到反铁电转变的原因，并且在键外的B位点上存在一个势垒，具有350 meV的阻碍高度，用于进入下一个井。所测量的位势与现象学的双摩尔位势在描述其他系统中的氢键时具有定性一致性。
作者：D. Homouz and G. F. Reiter and J. Eckert and J. Mayers and R. Blinc
论文ID：cond-mat/0701637
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2007-05-23