非均匀PN结耗尽电容的横向平均技术
摘要：非均匀PN结的解析理论研究通过使用横向平均技术（TAT）将三维半导体方程简化为涉及经纵向变化的横截面S(z)平均化的准一维（quasi-1D）形式。准一维Poisson方程的解表明，除了由p层和n层引起的常见耗尽电容Cp和Cn之外，由于横截面面积S(z)的非均匀性，还会产生额外的电容Cs。导出的一般表达式得到了先前获得的关于具有均匀横截面的突变和线性梯度结的特定公式。将一般公式应用于具有指数变化横截面S(z)=S0exp(αz)的PN结，证明了非均匀结构的准一维理论具有普遍性和适用性，可适用于任何多项式近似S(z)≈S0(1+αz)^n。
作者：Anatoly A. Barybin, and Edval J. P. Santos
论文ID：cond-mat/0701552
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2007-05-23