通过单光子干涉测量半导体中的无序特性
摘要：角度光子自发辐射相关性方法被引入为表征半导体纳米结构中的无序性的实验性纯光学方案。推导出了角度相关性的理论表达式，并对模型系统进行了数值评估。结果显示了拟议的实验方法如何直接提供有关相关态的空间分布以及系统中存在的无序性的信息。
作者：P. Bozsoki (1), P. Thomas (1), M. Kira (1), W. Hoyer (1), T. Meier (1), S.W. Koch (1), K. Maschke (2), I. Varga (3), H. Stolz (4),((1)Philipps-University Marburg, (2) Ecole Polytechnique Federale, Lausanne, (3)BUTE, (4)Universitaet Rostock)
论文ID：cond-mat/0611411
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23