基于赝势的全带k.p技术对间接带隙半导体进行研究：Si、Ge、金刚石和SiC
摘要：$k \cdot p$技术是一种灵活的技术，用于描述带隙附近的半导体带结构。该技术可以通过考虑更多耦合的能带来扩展到整个布里渊区。为了完整性，提供了详细的公式，其中相关的$k \cdot p$参数从局域经验赝势方法中提取出来，以能带边缘能和广义动量矩阵元的形式。我们展示了通过正确选择能带边缘态进行的技术的系统改进，适用于群IV间接带隙半导体：Si，Ge，金刚石和3C立方相的SiC。观察到完整区域一致性，对于Si，能量窗口跨越超过20eV，对于金刚石，能量窗口跨越40eV，使用15能带赝势$k \cdot p$方法。
作者：C. Bulutay
论文ID：cond-mat/0610018
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2007-05-23