半导体中近铁磁接触处完全自旋极化的简并电子

摘要:非磁性退化半导体中的电子密度自旋极化可达到100\%

作者:A.G. Petukhov, V.N. Smelyanskiy, and V.V. Osipov

论文ID:cond-mat/0609599

分类:Other Condensed Matter

分类简称:cond-mat.other

提交时间:2007-05-23

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