在横向磁场下的LiHo$_x$Y$_{1-x}$F$_4$量子伊辛磁体中诱导出的随机场
摘要：LiHo$_x$Y$_{1-x}$F$_4$磁性材料在与Ising自旋方向垂直的横向磁场B$_{x}$方向上，长期以来被用于研究随机无序系统中可调节的量子相变。我们展示了B$_{x}$诱导的磁化沿着x方向，结合局部随机稀释引起的晶体对称性破坏，通过主要的Ho$^{3+}$离子之间的偶极相互作用，在Ising z方向上产生了随机场。这将LiHo$_x$Y$_{1-x}$F$_4$在B$_x$中识别为一种新的随机场Ising系统。随机场解释了在稀释铁磁区域临界温度的迅速下降以及自旋玻璃相变时非线性磁化率的模糊化，随着B$_x$的增加，使得通过B$_x$诱导的量子临界态在LiHo$_x$Y$_{1-x}$F$_4$中可能无法实现。
作者：S.M.A. Tabei, M.J.P. Gingras, Y.-J. Kao, P. Stasiak, J.-Y. Fortin
论文ID：cond-mat/0608145
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23