纳米线悬浮体中的跳跃导电性
摘要：金属纳米线在绝缘体中随机悬浮并呈各向同性分布实现了跳跃传导的研究。绝缘体中不受控制的供体和受体导致纳米线的随机充电，因此在费米面具有有限的裸态密度。然后，远距离的纳米线之间的库仑相互作用导致软库仑能隙。在低温下，传导性是由电子在纳米线之间变化范围跃迁引起的，并服从Efros-Shklovskii（ES）定律$ln\sigma\propto-(T_{ES}/T)^{1/2}$。我们证明了$T_{ES}\propto1/(nL^3)^2$，其中$n$是纳米线的浓度，$L$是纳米线的长度。由于库仑势的增强筛选效应，在足够大的$nL^3$下，ES定律被莫特定律取代。
作者：Tao Hu, B. I. Shklovskii
论文ID：cond-mat/0604644
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23