量子限制对带有栅极的一维纳米结构电容的修正
摘要：用多配置格林函数方法研究单电子库仑充电效应。我们模拟了超越自洽平均场描述范围的纳米结构中的库仑阻塞特性。通过模拟的特性，我们得到了有效的系统电容，并展示了量子约束效应产生的修正。这些偏差对于实验测定电容和提取与应用相关的系统参数的解释是至关重要的。
作者：K. M. Indlekofer, J. Knoch, and J. Appenzeller
论文ID：cond-mat/0604247
分类：Other Condensed Matter
分类简称：cond-mat.other
提交时间：2007-05-23