Ga$\_{1-x}$Mn$\_x$As的铁磁性和相干势近似下的Weiss理论研究居里温度
摘要：基于锌初始的GaAs III-V稀磁半导体（DMS）在相干电位近似（CPA）中进行了研究。在这项工作中，我们使用了面心立方（FCC）态密度（DOS）的确切Hilbert变换，这与我们之前的工作中使用的半圆态密度不同。我们计算得到的基态能量和杂质磁化强度的关系表明，在低温下具有铁磁性始终是有利的。对于非常弱的Kondo耦合，宿主半导体的态密度（DOS）只会略微改变。只有在Kondo耦合足够强时，杂质能带才会在宿主带底部产生。使用Weiss分子理论，我们预测了铁磁相变温度与Kondo耦合之间的非线性关系，这与我们之前基于半圆态密度计算的结论不同。我们计算得到的$T_{\text{C}}$与实测值的一致性令人信服。
作者：Sze-Shiang Feng, Mogus Mochena
论文ID：cond-mat/0511320
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23