量子点阵列中的无序对电子传输的影响
摘要：零温下，我们研究了具有无序背景电势的量子点阵列中电子的输运。无序的一个效应是，只有当数组上的电压超过临界电压 $V_T$ 时，才能通过阵列进行传导。我们研究了三个电压区域内数组的行为：低于、等于和高于临界电压。对于小于 $V_T$ 的电压，我们发现电荷进入阵列的特征取决于点的电容是否均匀或不均匀。我们使用传输矩阵算法计算了电压略高于 $V_T$ 时的第一导电路径。它可以用来阐明重要的能量和长度尺度。我们发现，第一导电路径的几何结构基本上不受电容或隧道电阻无序的影响。我们还研究了在超过阈值电压时添加的无序对输运的影响。我们使用有限尺度分析探索了在 $V_T$ 附近的非线性电流-电压关系。在靠近阈值的几个百分点的电压下，电流 $I$ 的缩放 $I\sim(V-V_T)^{\eta}$ 在各种隧道和电容无序情况下给出了类似的有效指数 $\eta$ 的值。我们注意到，在离阈值这么远的距离上，$\eta$ 的值在转变附近没有收敛，并且在向 $V_T$ 逼近的极限下难以获取其值。
作者：Shantenu Jha and A. Alan Middleton
论文ID：cond-mat/0511094
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23