无序磁体中的滞后记忆效应
摘要：用随机磁体的典型模型，我们对返回点和互补点的记忆效应进行了数值研究，并证明即使是具有Ising自旋对称性的简单系统也能够复现Pierce等人的实验结果，其中记忆效应在扰动增加时变得更加显著，而返回点记忆始终优于互补点记忆。
作者：Helmut G. Katzgraber and Gergely T. Zimanyi
论文ID：cond-mat/0509515
分类：Disordered Systems and Neural Networks
分类简称：cond-mat.dis-nn
提交时间：2007-05-23