n-掺杂III-V半导体中的自旋弛豫和反对称交换
摘要：Dzyaloshinskii-Moriya相互作用在接近金属-绝缘体转变的条件下，指导了$n$-掺杂的GaAs中缓慢自旋松弛的K. Kavokin最近提出的观点。我们推导出正确的自旋哈密顿量，并应用到采用矩展开方法确定自旋弛豫时间的计算中。我们认为，该提出的机制不能解释观测到的自旋弛豫时间值。
作者：L.P. Gor'kov and P.L. Krotkov
论文ID：cond-mat/0209141
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31