Al/Si光电二极管作为红外传感器的光谱响应
摘要：Al/Si光电二极管通过在p型Si (100)上依次沉积铝薄膜，使用真空蒸发仪和共沉淀法制备而成。测量的信号归因于光电二极管中观察到的光谱响应。当以200 Hz的斩波频率的间歇光照射时，Al/Si光电二极管对800至1000 nm的红外波长范围具有敏感性。当使用交流模式进行测量时，光谱响应分布出现敏感性峰值。峰值位于981 nm处，表面入射辐射功率（Pi）为25微瓦/平方厘米，电流信号（Ip）为12.2纳安，量子效率为6.16％，电流灵敏度为0.488纳安/微瓦/平方厘米。
作者：Irzaman, A.Fuad, D.Rusdiana, H.Saragih, T.Saragi, M.Barmawi
论文ID：cond-mat/0107213
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2019-08-17