LaMnO₃中的错位磁化、临界行为和弱铁磁性质：通过μ子自旋旋转进行研究
摘要：通过注入的缪子，我们对LaMnO3微细双晶进行了研究。通过有序阶段内部场的对称性，确定了两个缪子停止位置。这些场的温度依赖性揭示了交错磁化行为，并从中提取和讨论了静态临界指数（eta=0.36（2））。缪子自旋-自旋弛豫率显示了临界减速（与初步结果相反），临界指数为n=0.7（1），证明了动态涨落的Ising性质。缪子进动频率与应用磁场之间的关系揭示了由Dzialoshinski-Moriya反对称交换引起的弱铁磁畴结构的饱和。
作者：M. Cestelli Guidi, G. Allodi, R. De Renzi, G. Guidi (U. of Parma), M. Hennion (Lab. Leon Brillouin), L. Pinsard (U. of Paris-Sud), A. Amato (Paul Scherrer Institut)
论文ID：cond-mat/0012158
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2019-05-15