带有表面缺陷的伊辛薄膜
摘要：表面缺陷对磁性薄膜的关键特性的影响进行了研究，该薄膜采用最近邻铁磁耦合的Ising模型。这些缺陷包括一条或两条相邻的额外原子线以及表面上的台阶。在计算中，使用了密度矩阵重整化群和蒙特卡罗技术。通过改变缺陷处的局部耦合和薄膜厚度，观察到了非普适特征以及磁性指数的有趣交叉现象。
作者：M.-C. Chung, M. Kaulke, I. Peschel, M. Pleimling, and W. Selke
论文ID：cond-mat/0007499
分类：Condensed Matter
分类简称：cond-mat
提交时间：2016-08-31