利用MgO隧道自旋电子学将信息编码到顺磁原子的电荷和自旋态上
摘要：电流穿过单个原子或分子时，可以产生奇异的基于量子的行为，从记忆效应到库伦封锁以及量子激发态的推动。这些基本效应通常在使用原子尖端或侧面技术构建的模型连接器中逐个出现。然而，到目前为止，这类离散状态设备的可行工业途径尚缺乏。在这里，我们证明了一种商业化的设备平台可以作为实现量子技术的工业途径。我们研究了含有C原子的MgO障壁的磁隧道接合。由于单个C原子产生的顺磁定域电子通过微米级器件产生平行的纳米传输路径，这一点可以通过磁传输实验得出。与隧道磁电阻峰相关的库仑封锁效应可以在电控下进行，从而产生持久的记忆效应。我们的结果将MgO隧道自旋电子学定位为实现量子技术的有前景的平台。
作者：Mathieu Lamblin, Bhavishya Chowrira, Victor Da Costa, Bertrand Vileno, Loic Joly, Samy Boukari, Wolfgang Weber, Romain Bernard, Benoit Gobaut, Michel Hehn, Daniel Lacour, Martin Bowen
论文ID：2308.16592
分类：Mesoscale and Nanoscale Physics
分类简称：cond-mat.mes-hall
提交时间：2023-09-01