SnTe在其铁电临界温度以上的结构畸变和体态带Rashba分裂的持续存在
摘要：α-SnTe铁电半导体一直被认为是一种拓扑晶体绝缘体，并且其表面态的色散被广泛地用角度分辨光电子能谱法（ARPES）测量了十年。然而，对其铁电相变对其电子结构，特别是体态的影响关注较少。在这里，我们用ARPES研究了α-SnTe的低能电子结构，并随温度的变化追踪了在其铁电临界温度约为110 K时的体态Rashba分裂的演化。令人意外的是，我们观察到一个持续的带分裂现象一直延续到室温，这与相变的序-无序贡献一致，需要在Tc以上存在波动的局部偶极。我们得出结论，SnTe的（111）表面上不会出现拓扑表面态，与最近的文献不符。
作者：Fr''ed''eric Chassot (1), Aki Pulkkinen (1,2), Geoffroy Kremer (1,3), Tetiana Zakusylo (4), Gauthier Krizman (4), Mahdi Hajlaoui (4), J. Hugo Dil (5,6), Juraj Krempask''y (6), J''an Min''ar (2), Gunther Springholz (4) and Claude Monney (1) ((1) Department of Physics and Fribourg Center for Nanomaterials, Universit''e de Fribourg, Fribourg, Switzerland, (2) New Technologies-Research Center, University of West Bohemia, Plzen, Czech Republic, (3) Institut Jean Lamour, UMR 7198, CNRS-Universit''e de Lorraine, Campus ARTEM, 2 all''ee Andr''e Guinier, BP 50840, 54011 Nancy, France, (4) Institut f"ur Halbleiter-und Festk"orperphysik, Johannes Kepler Universit"at, Linz, Austria, (5) Institute of Physics, Ecole Polytechnique F''ed''erale de Lausanne, Lausanne, Switzerland, (6) Photon Science Division, Paul Scherrer Institut, Villigen, Switzerland)
论文ID：2308.16558
分类：Materials Science
分类简称：cond-mat.mtrl-sci
提交时间：2023-09-01