大角度入射对于带电轻粒子（$Z \leq 2$）通过脉冲形状分析在垫式nTD硅探测器上的粒子鉴别性能的影响
摘要：依据数字波形分析技术的粒子辨别方法，用于中子转变掺杂硅（nTD-Si）探测器的低能带电粒子辨别在近年来已被广泛采用。虽然该方法在小入射角度下粒子辨别能力得到了很好的证明，但当探测器靠近带电粒子源并且入射位置分布和入射角度分布很宽时，探测器响应的变化可能影响粒子辨别的性能。在本研究中，我们使用垫式nTD-Si探测器进行了光带电（$Z \le 2$）粒子的粒子辨别束流测试，并研究了粒子辨别性能与入射位置和入射角度的依赖关系。随着入射角度的增加，观察到了最大电流的降低，这足以影响粒子辨别的性能。这种降低可以表示为带电粒子进入探测器的穿透深度的函数，该深度对每种核素都有所变化。
作者：Shoichiro Kawase, Takuya Murota, Hiroya Fukuda, Masaya Oishi, Teppei Kawata, Kentaro Kitafuji, Seiya Manabe, Yukinobu Watanabe, Hiroki Nishibata, Shintaro Go, Tamito Kai, Yuto Nagata, Taiga Muto, Yuichi Ishibashi, Megumi Niikura, Daisuke Suzuki, Teiichiro Matsuzaki, Katsuhiko Ishida, Rurie Mizuno, Noritaka Kitamura
论文ID：2308.16433
分类：Instrumentation and Detectors
分类简称：physics.ins-det
提交时间：2023-09-01