带隙小于1电子伏特的CuIn(Se,Te)2吸收体在串联应用中的底层电池
摘要：薄膜太阳能电池具有高效率和低碳足迹。串联太阳能电池有潜力显著提高该技术的效率，其中底部电池通常由带隙约为1 eV或更高的Cu（In，Ga）Se2吸收层组成。在这里，我们研究了CuIn（Se1-xTex）2吸收层和带隙低于1 eV的太阳能电池，这将为设计匹配电流的2端串联装置提供额外的自由度。我们报告了通过共蒸发可以生长单相CuIn（Se1-xTex）2薄膜，并且带隙可以降低到底部电池的最佳范围（0.92-0.95 eV）。从光致发光光谱中发现，吸收层没有引入额外的非辐射损失。然而，由于非优化界面，最终太阳能电池发生了开路电压损失。尽管如此，我们展示了一种带隙为0.96 eV和x=0.15的记录设备，具有9％的转换效率。界面复合被确定为更大Te含量的主要复合通道。因此，预计通过改进吸收层/缓冲层界面可以进一步提高效率。
作者：Thomas Paul Weiss, Mohit Sood, Aline Vanderhaegen, Susanne Siebentritt
论文ID：2308.16103
分类：Applied Physics
分类简称：physics.app-ph
提交时间：2023-08-31