通过填充滴蚀纳米孔形成的GaSb/AlGaSb量子点的电子结构
摘要：外延生长的半导体量子点（QDs）为高质量量子光态的确定性光源的开发提供了一个有吸引力的平台。这种非经典光源对于量子信息处理和量子通信至关重要。在与用于实现量子通信网络所需的光纤系统兼容方面，发射在通信波长的QDs尤为重要。为此，通过填充局部溶滴腐蚀纳米孔的方法制备的GaSb QDs成为一种可行的方法，然而这种纳米结构的电子性质尚未得到详细研究。本文通过对温度相关的光致发光行为的系统实验分析，提供了对GaSb/AlGaSb QDs的电子结构和载流子动力学的洞察。使用稳态速率方程模型揭示了热激活载流子捕获和逃逸过程的相关能量屏障。此外，还介绍了使用多能带k.p模型和有效质量法进行量子限制能态的详细理论模拟结果。模拟的目的是揭示具有不同物理尺寸的GaSb QDs的直接和间接能态、载流子波函数和允许的光学跃迁。
作者：Lucie Leguay, Abhiroop Chellu, Joonas Hilska, Esperanza Luna, Andrei Schliwa, Mircea Guina and Teemu Hakkarainen
论文ID：2308.15418
分类：Mesoscale and Nanoscale Physics
分类简称：cond-mat.mes-hall
提交时间：2023-08-30