晶相定义的双量子点电荷量子比特与高阻抗谐振器强耦合中的退相干
摘要：电荷比特的退相干通常归因于环境中的电荷噪声。在这里，我们展示了电荷噪声可能不是限制比特相干性的因素。为此，我们使用射频反射测量技术研究了一个晶相定义的半导体纳米线双量子点（DQD）电荷比特与高阻抗谐振器强耦合的相干性质。我们在一个对电荷噪声敏感的操作点（具有有限的DQD频率失谐）和一个对噪声不敏感的点（所谓的甜点，频率失谐为零）测量了这个混合系统的响应。基于Jaynes-Cummings哈密顿量的理论模型很好地匹配了实验结果，并且两种情况的退相干速率只有10\% 的差异，尽管对失谐电荷噪声的敏感度相差了5倍。因此，在这种类型的半导体纳米线比特中，电荷噪声不是相干性的限制因素。
作者：Antti Ranni, Subhomoy Haldar, Harald Havir, Sebastian Lehmann, Pasquale Scarlino, Andreas Baumgartner, Christian Sch"onenberger, Claes Thelander, Kimberly A. Dick, Patrick P. Potts, Ville F. Maisi
论文ID：2308.14887
分类：Mesoscale and Nanoscale Physics
分类简称：cond-mat.mes-hall
提交时间：2023-08-30