FeFETs记忆电阻器的多层操作：三维效应的关键角色
摘要：通过全面的TCAD分析，本文研究和比较了基于铁电的FETs的2D和3D模拟。我们提供了清晰的证据表明，在FeFETs中观察到的多种读取电导值源于源到漏极渗透电流路径，这些路径受铁电区域的极化模式控制。这样的物理模型使得3D模拟成为捕捉器件行为定性特征的必不可少的工具，更不用说定量方面了。
作者：Daniel Lizzit, Thomas Bernardi and David Esseni
论文ID：2308.13912
分类：Emerging Technologies
分类简称：cs.ET
提交时间：2023-08-29